随着先进封装、第三代半导体工艺升级，硅片深蚀刻沟槽、陶瓷基板分割槽、3D 封装台阶高度管控精度要求达到纳米级别。大量晶圆厂、封测厂长期面临检测精度不足、样品划伤、检测效率低下等生产痛点，直接影响芯片良率。
高深宽比沟槽底部存在检测盲区，传统激光、探针设备无法采集槽底真实深度数据，半切晶圆剩余厚度偏差易造成芯片崩边、隐裂报废；
接触式探针轮廓仪直接触碰晶圆表面，极易划伤光刻胶、氧化薄层，高端晶圆单片成本高昂，抽检损耗带来巨额隐性生产成本；
SEM 电镜属于破坏性切片检测，仅能抽样验证，无法适配产线批量来料质控；
车间温变、设备震动会导致普通光学设备测量漂移，多次复测 Ra、台阶高度数据偏差超 5%，工艺调参缺少稳定数据支撑；
单台设备仅能测单一参数，无法同步输出蚀刻深度、槽宽、侧壁粗糙度、台阶段差多维度指标，检测流程繁琐。
探针轮廓仪：接触损伤晶圆、深槽底部无法测量；
SEM 扫描电镜：样品破坏性检测、检测周期长，无法量产抽检；
普通激光位移传感器：仅微米级精度，无法识别纳米级刻蚀偏差。
本设备采用激光光谱共聚焦检测原理，非接触式无损扫描，全套硬件参数适配半导体高精度质控需求：
核心硬件参数
横向分辨率 0.1μm，Z 轴超高分辨率 3nm；重复精度 15nm（0.015μm）；最小可测粗糙度 Ra 0.012μm
X 轴行程 200mm，Z1 轴测量范围 ±200μm，最大承载 200mm×100mm 整片晶圆无需多次装夹
10mm 线段单次扫描时长＜10 秒，采样速度最高 32kHz，批量检测效率大幅提升
整机温度漂移＜0.03% F.S./℃，车间常温环境下数据稳定，线性精度 ±0.06% FS
精密全闭环伺服三轴平台，自动定位扫描，适配全自动产线抽检场景
全程无物理接触扫描，零划伤晶圆、陶瓷基板，彻底杜绝样品报废损耗；
光谱分光算法完整采集高深宽比沟槽底部形貌，单次扫描同步输出蚀刻深度、分割槽深、台阶高度、侧壁 Ra/Rz 国标全套参数；
三轴大范围平台可完整承载整片 200mm 晶圆，无需分段装夹，消除重复定位误差；
专业工业分析软件实时生成三维轮廓曲线，一键导出 HTML 标准化检测报告，数据完整可溯源，满足半导体工厂合规审核要求；
支持选配视觉引导定位模块，微小芯片、微型分割槽自动精准定位，减少人工操作误差。
如需检测硅片、陶瓷基板蚀刻形貌，可免费提交样品预约测试，获取完整检测报告；拨打13814848068，申请工程师上门演示 Micra200 纳米形貌测量系统。
